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  • 专利说明
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  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrates mit einer Dicke von 250 mum oder weniger. Bei der Vorrichtung und dem Verfahren wird ein Dunkelraumschild zwischen dem Plasma in einer Prozesskammer und dem Umfang des Substrates verwendet, um das Vorhandensein von Plasma zwischen dem Schild und dem Umfang zu verhindern, während ein Bearbeiten des Substrates möglich bleibt. In jedem Fall wird eine elektrostatische Spannvorrichtung verwendet.
    公开号:DE102004002243A1
    申请号:DE200410002243
    申请日:2004-01-15
    公开日:2004-09-16
    发明作者:Paul Rich；Clive Luca Henleaze Widdicks
    申请人:Aviza Europe Ltd；
    IPC主号:C23C14-50
    专利说明:
    [0001] Die Plasmabearbeitung von Substraten,wie beispielsweise einem Halbleiterwafer, ist wohl bekannt, sowieauch die Notwendigkeit der thermischen Steuerung derartiger Substrate,welche häufigdadurch erfolgt, dass diese an einer thermisch gesteuerten Elektrodeoder einem Podest elektrostatisch festgeklammert werden.
    [0002] Siliziumwafer werden typischerweisegemäß einerIndustriestandarddicke geliefert, welche sicherstellt, dass diesesteif und mechanisch relativ fest sind. Die Dicke des Wafers stehtin Relation zur Kristallographie und Wafergröße und beträgt beispielsweise 400 μm oder mehrfür einen100 mm Wafer und 675 μmoder mehr füreinen 150 mm Wafer. Bei der Verwendung für bestimmte Anwendungen, einschließlich Energieversorgungen(bei der durch die Dicke des Wafers ein Wärmeverlust auftreten kann), kleineelektronische Konsumartikel (bei denen dicht gepackte Vorrichtungenerforderlich sind), Gehäuse, diegeschichtete Vorrichtungen enthalten, und bestimmte elektromechanischeMikrovorrichtungen (MEM – mikroelektro mechanical device) hat eine derartige Waferdicke jedochNachteile.
    [0003] Es ist daher die Möglichkeitwünschenswert, dünne Waferzu bearbeiten, wobei entweder ein Wafer mit Standarddicke teilweisebearbeitet wird (beispielsweise an dessen Vorderseite) und dannvor der weiteren Bearbeitung die Dicke reduziert wird, oder es werdenbei dem gesamten Wafer-Bearbeitungsprozess dünne Wafer verwendet. Der Ausdruck "dünn" ist industriell nicht definiert, jedochwird man darunter im wesentlichen weniger als die halbe Originaldickeoder etwa 250 μmals Obergrenze verstehen. Mit der Weiterentwicklung der Technologievon dünnenWafern und der Bearbeitung derselben reduziert sich die Dicke eines "dünnen" Wafers, so dass derzeit ein Wafer miteiner Dicke von 150 bis 100 μm als "typisch dünner" Wafer und ein Wafermit 50 μm oderweniger als ultra dünnbetrachtet wird. Bei der Bearbeitung von dünnen Wafern ergeben sich erheblicheHerausforderungen, da diese Substrate insbesondere dann, wenn eineSeite oder Flächein Bezug auf die andere Seite unter Spannung oder Druck gesetztwird, einem signifikanten Verbiegen unterliegen. Dies kann beispielsweisedann auftreten, wenn eine Seite geheizt wird, auf einer Seite Werkstoffabgelagert wird oder auf einer Seite Werkstoff entfernt wird. Daalle diese Effekte innerhalb eines Plasmabearbeitungsystems für einenWafer wahrscheinlich sind, tritt ein Verbiegen oder Krümmen desWafers mit hoher Wahrscheinlichkeit auf. Dies kann wiederum zu Problemenbeim Transport des Wafers führen.
    [0004] Insbesondere um Dünnschichtspannungen zu vermeiden(und dadurch eine Verbiegung des Wafers zu reduzieren), kann eshilfreich sein, während einesAblagerungsprozesses mittels Sputtern die Temperatur des Wafersnahe Umgebungsraumtemperatur zu halten. Das elektrostatische Festklemmen istein wohlbekanntes Verfahren, um den Wafer in engen Kontakt mit einerSpannvorrichtung zu bringen, um es einem Gas zu ermöglichen,den Raum zwischen dem Wafer und der Spannvorrichtung unter Druckzu setzen. Dies ermöglichteine gute thermische Leitung währendder Ablagerungen. Es hat sich jedoch herausgestellt, dass es beidünnenWafern zu Fehlfunktionen beim Festklemmen kommt, die zu einem vollständigen Ablösen vonder Spannvorrichtung währendder Ablagerungensequenz führenkönnen.Hierfürwird nachfolgend eine Lösungzur Verfügunggestellt.
    [0005] Die Anmelder haben herausgefunden,dass sich der Mechanismus, der zu der Fehlfunktion führt, wiefolgt darstellt. Währendder Bearbeitung wird vorzugsweise einer Seite des Wafers eine Spannungsbelastung,wie beispielsweise Wärme,zugeführt. Diesführt dazu,dass der Wafer versucht sich zu verziehen oder zu verbiegen. Dieelektrostatisch ausgeübteKlemmkraft dagegen versucht den Wafer flach auf der Spannvorrichtungzu halten. Wenn jedoch der Wafer damit beginnt, sich von der Spannvorrichtung abzuschälen, dannist an der Kante des Wafers die Klemmkraft schnell verloren, waszu einer vollständigenFehlfunktion der Festklemmung führt.Der Effekt des Abschälenswird durch das Vorhandensein von Plasma an der Kante des Wafersweiter verschärft, daein Gasplasma elektrisch leitend ist. Diese Leitfähigkeitführt dazu,dass Ladung von der rückseitigen Kantedes Wafers abgeleitet wird. Wenn der dünne Wafer damit beginnt, sichzu verbiegen und sich an den Kanten abzuheben, führt die Ladungsableitung vonder Rückseitedes Wafers an das Plasma zu einer Aufhebung der Klemmkraft. Dasermöglichtes dem Wafer, sich unter dem Einfluss der prozessinduzierten Spannungweiter von der Spannvorrichtung abzuheben, was zu einem weiterenLadungsverlust von dem Wafer führt.Dies führtgegebenenfalls zu einer vollständigenFehlfunktion der Festklemmung.
    [0006] In der Praxis kann sich an der Rückseitedes Wafers währendder Bearbeitung nur dann ein Plasma befinden, wenn die Kante unddie Rückseiteder Kante des Wafers dem Plasma ausgesetzt ist.
    [0007] Die Erfindung umfasst eine Vorrichtungzum Bearbeiten eines Substrats mit einer Dicke von kleiner odergleich 250 μmmit einer Kammer, einem Plasmaerzeugungselement oder -elementen,um in einer Zone der Kammer ein Plasma zu erzeugen, und einer elektrostatischenSpannvorrichtung zum Halten eines Substrats an einem Substratortin oder benachbart zu der Zone. Die Vorrichtung umfasst ferner ein Abschattungs-oder Dunkelraumschild, welches auf der der Zone zugewandten Seiteder Spannvorrichtung den Umfang des Substratortes umgebend oder denUmfang des Substratortes überdeckendangeordnet ist, um im Wesentlichen das Vorhandensein von Plasmazwischen dem Schild und dem Umfang des Substrates zu verhindern,währendeine Bearbeitung des Substrates möglich bleibt.
    [0008] Der Ausdruck "im Wesentlichen ... verhindern" bedeutet, dass dasDunkelraumschild ein Plasma derart unterdrückt, dass die elektrostatischeHalterung währendder gesamten Bearbeitung des dünnenWafers wirksam bleibt, wobei fürdenselben Prozess und Wafer die Halterung ohne Schild versagen würde.
    [0009] In einer bevorzugten Ausführungsformder Erfindung ist das Schild im Wesentlichen ringförmig ausgebildetund in jedem Falle offen, so dass das Substrat im Wesentlichen demPlasma ausgesetzt ist. Ferner kann sich der Substratort über dieAuflageflächeder elektrostatischen Spannvorrichtung hinaus erstrecken, wie nachfolgendspezieller beschrieben wird.
    [0010] Das Schild kann elektrisch leitendund optional elektrisch geerdet sein, ein nicht geerdetes Potentialaufweisen oder mit einer Plasma erzeugenden Elektrode verbundenoder eine Antenne sein, wobei es dasselbe Potential aufweisen kannwie die Elektrode. Die Spannvorrichtung kann selbst ein Plasma erzeugendesElement sein, wobei es in diesem Fall mit Energie versorgt ist.
    [0011] Die Erfindung umfasst ferner einVerfahren zum Bearbeiten eines Substrats mit einer Dicke von 250 μm oder wenigermit den Schritten elektrostatisches Halten des Substrats an einerSpannvorrichtung, Erzeugen eines Plasmas benachbart zur auswärts gewandtenSeite des gehaltenen Substrates und Anordnen eines Abschattungs-oder Dunkelraumschildes zwischen dem Plasma und dem Umfang des Substrates,um das Vorhandensein von Plasma zwischen dem Schild und dem Umfangzu verhindern, währendeine Bearbeitung des Substrats möglichbleibt.
    [0012] Vorzugsweise überdeckt das Schild den Umfang,es kann jedoch auch den gesamten Umfang des Substrats umgebend angeordnetsein.
    [0013] In einer besonders bevorzugten Ausführungsformbeträgtdie Dicke des Substrats 100 μm oderweniger.
    [0014] Im Sinne dieser Beschreibung bedeutetder Ausdruck "Dunkelraumschild" jedes beabstandetangeordnete physische Element, welches die Ausbildung eines Plasmaszwischen dem Schild und dem Substrat mittels seiner physischen Nähe verhindert. DieDimension der Beabstandung steht in Relation zur mittleren freienWeglängeder das Plasma ausbildenden Ionen, welche von solchen Faktoren wieFrequenz der auf das Plasma ausgeübten Energie, Gas, Druck undEnergiedichte bestimmt ist. Bei den meisten Anordnungen, insbesonderewo höhereFrequenzen verwendet werden, kann es notwendig seien, das Schildzu erden, um den dunklen Raum bzw. die Abschattung zuverlässig über denVerlauf der Bearbeitung von mehreren Wafern zu erzielen, weswegen eingeerdetes Dunkelraumschild zwar besonders bevorzugt, aber für den Betriebder vorliegenden Erfindung nicht notwendig ist.
    [0015] Daher wird im Falle eines Wafersein Dunkelraumschild zwischen dem Plasma und dem Wafer angeordnet,wobei in bevorzugter Weise das Dunkelraumschild einen etwas kleinerenInnendurchmesser als der Wafer selbst aufweist. Diese Vorrichtungist insbesondere fürAblagerungsprozesse nützlich,bei denen wegen des Aufbaus von abgelagertem Werkstoff im Bereichdes Ortes des Wafers potenzielle Alternativlösungen für Produktionszwecke unpraktikabelsind.
    [0016] Im Stand der Technik wurden andereLösungswegeversucht, jedoch nicht speziell für dünne Wafer. In GB 0216711.2 verwendeten die Anmelder einegekrümmteSpannvorrichtung als eine Lösung für ein kontinuierlichesHalten von aufgrund asymmetrischer Spannung gekrümmten Wafern. Der sich krümmende Waferentspannt sich in die gekrümmte Ausnehmungder Spannvorrichtung hinein. Die Anmelder weisen ebenfalls auf US 6 177 349 hin, welche(als Stand der Technik) einen dielektrischen Abschaffungsring umeinen Teil des Umfanges eines Wafers als Teil einer Anordnung zumIsolieren einer elektrostatischen Spannvorrichtung von dem Plasma einer Ätzkammeroffenbart. Zum Isolieren der Spannvorrichtung (nicht irgendeinesTeils des Wafers) von dem Plasma wird ein Abschaffungsring 12 alsim Stand der Technik bekannt offenbart und ein verbesserter, zweiteiligerAbschaffungsring erfunden. Es wird darauf hingewiesen, dass auchdieser Abschaffungsring noch nicht ein Plasma daran hindert, inden Zwischenraum 52 um den Umfang des Wafers herum einzudringen,welcher an der Angriffsfläche 44 des Waferssichtbar und jetzt von einem Opferringteil 56 umschlossenist.
    [0017] Obwohl die Erfindung oben beschrieben wurde,versteht es sich, dass diese jedwede erfindungsgemäße Kombinationvon Merkmalen umfasst, welche oben oder in der nachfolgenden Beschreibungoffenbart sind.
    [0018] Die Erfindung kann auf unterschiedlicheWeise ausgeführtwerden und nachfolgend werden beispielhaft bevorzugte Ausführungsformenunter Bezugnahme auf die beigefügtenZeichnungen beschrieben. Diese zeigen in:
    [0019] 1 eineschematische Darstellung einer Anordnung aus elektrischer Spannvorrichtungund Plasma gemäß dem Standder Technik;
    [0020] 2 einegrafische Darstellung der Gasleckage an der Rückseite des Wafers gemäß der Anordnungvon 1, wenn ein dickerWafer von der Spannvorrichtung währendeines Sputter-Prozesses gehalten wird;
    [0021] 3 einegrafische Darstellung wie 2 für dieselbeAnordnung, jedoch füreinen dünnenWafer;
    [0022] 4 eineschematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung mit einem Dunkelraumschild;
    [0023] 5 einegrafische Darstellung der Gasleckage an der Rückseite des Wafers gemäß der Ausführungsformvon 4, während eindünnerWafer gesputtert wird; und
    [0024] 6 eineentsprechende grafische Darstellung, wobei das Dunkelraumschildeinen Innendurchmesser aufweist, welcher etwas größer istals der Außendurchmessereines dünnenWafers.
    [0025] 1 (Standder Technik) zeigt eine grundlegende Anordnung einer elektrostatischenSpannvorrichtung und eines Wafers in einem Sputtersystem. Ein Wafer 1 ruhtauf einer elektrostatischen Spannvorrichtung 2 mit einemauswechselbaren Schild 3, welches um die elektrostatischeSpannvorrichtung 2 herum angeordnet ist, um einen Aufbau vonabgelagertem Werkstoff auf der Spannvorrichtung zu verhindern. DerSpalt 4 wird beispielsweise in einem Herstellungssputtersystembenötigt,um einen Aufbau von Werkstoff auf dem Wafer ohne Interferenz mitder Auflage des Wafers auf der Spannvorrichtung zu ermöglichen.Es ist wünschenswert,dass viele μmWerkstoff von dem Target ohne Eingriff abgelagert werden können, umlange Betriebszeiten ohne Wartung sicherzustellen. Aus diesem Grunde istdieser Spalt in Relation zur auf jedem Wafer abgelagerten Dickegroß ausgebildet.Halbleiterwafer weisen zahlreiche Täler und Kerben zur Rotationsausrichtungauf, und diese unterscheiden sich je nach Wafertyp und Wafergröße. Undzu vermeiden, dass die Oberseite der Spannvorrichtung im Bereichder Täleroder Kerben freiliegt, überragtder Wafer im Wesentlichen die Spannvorrichtung um einen gewissenGrad, wie in 5 dargestelltist. Füreinen Wafer mit 100 mm Durchmesser beträgt dieser Überhang typischerweise 3 Millimeter(d.h. der Durchmesser der Spannvorrichtung beträgt 94 mm). Hierdurch liegtdie Rückseiteder Kante des Wafers frei. Das Plasma ist im Wesentlichen wie mitBezugszeichen 6 bezeichnet vorhanden, beispielsweise erzeugtvon einem Sputtertargetmagnetron.
    [0026] Bei derartigen Anordnungen tretenProbleme mit dünnenWafern auf, die sich von der Spannvorrichtung 2 lösen. Diestritt nur auf, wenn ein Plasmaprozess läuft. Ohne Plasmaaktivität sind keineProbleme sichtbar.
    [0027] 2, 3, 5 und 6 sindgrafische Darstellungen, welche eine Strömung eines die Waferrückseite unterDruck setzenden Gases bei verschiedenen Bedingungen zeigen. DieStrömungrepräsentiertdie Leckage zwischen dem Wafer und der Spannvorrichtung. Ein Lösen vonder Halterung ist durch einen starken Anstieg der rückseitigenGasströmunggekennzeichnet. Die anfänglicheSpitze in der Gasströmungergibt sich aufgrund der Druckbeaufschlagung der Rückseitedes Wafers mit dem Gas.
    [0028] In 2 (Standder Technik) ist die die Rückseitedes Wafers unter Druck setzende Gasströmung während eines Sputter-Prozessesauf einem Wafer mit mehr als 380 μmDicke mit etwa 12 kW angewendeter Leistung und einer Vorrichtunggemäß 1 grafisch dargestellt.Das Plasma erzeugt eine thermische Last auf dem Wafer und erzeugtebenso ein Plasma in der Umgebung des Wafers. Ein Lösen des Wafersvon der Spannvorrichtung tritt nicht auf, und es wird eine gutethermische Leitfähigkeitvon dem Wafer zu der Spannvorrichtung aufrechterhalten. Die Kanteund die Rückseiteder Kante des Wafers liegen frei. Aufgrund der Steifigkeit des Wafersführt jedoch diethermische Belastung nicht zu einer signifikanten Krümmung desWafers.
    [0029] In 3 (Standder Technik) wird ein dünner Wafermit einer Dicke von etwa 100 μmmit derselben thermischen Last und demselben Plasma sowie in derselbenVorrichtung bearbeitet. Hierbei ergibt sich aus der Strömung desGases, dass ein Lösendes Wafers stattgefunden hat. Aus diesem Grunde ergibt sich eineschlechte thermische Leitfähigkeitzwischen dem Wafer und der Spannvorrichtung, und der Wafer kannbewegt werden, was das Risiko einer Fehlerhandhabung durch das Roboter-Handhabungs-Systemenerhöht,welches in derartigen Sputtersystemen für einen einzigen Wafer üblicherweise vorhandenist.
    [0030] Es ist ersichtlich, dass mit derartigendünnen Wafern(100 μm)innerhalb weniger Sekunden nach dem Einschalten des Targets einerückseitigeGasleckage signifikant ansteigt und sich weiter erhöht, bis dieLeckage einen vorbestimmten Wert erreicht (welcher in der Softwaredefiniert ist) und das System automatisch abgeschaltet wird. AusBeobachtungen am Wafer währendder Ablagerung ist es klar, dass der Wafer an der äußerstenKante der Spannvorrichtung damit beginnt sich anzuheben und sichdann nach und nach abschält.Man nimmt an, dass die Fehlerart eine lokale Entladung des Wafersan dessen rückseitigerKante durch das Plasma ist. Dies führt zu einer lokalen Reduktionder Haltekraft an der äußersten Kantedes Wafers. Die Kraft von dem rückseitigem Druckin Kombination mit der lokal schwachen Halterung führt dazu,dass sich der Wafer an der äußerstenKante abschältund gegebenenfalls den rückseitigenGasdruck vollständigverliert.
    [0031] Es wurde eine Abschirmung des abgeschattetenbzw. dunklen Raumes an der Kante des Wafers hinzugefügt, um einelokale Entladung überdas Plasma zu verhindern. 4 zeigtdiese neuartige Vorrichtung. Ein im Wesentlichen ringförmiges Dunkelraumschild 7,dessen Innendurchmesser A etwas kleiner ist als der Außendurchmesserdes Wafers, wurde zwischen dem Wafer 1 und dem Sputtertarget angeordnet,um die Kante des Wafers 1 von dem Plasma 6 abzuschirmen.
    [0032] Es hat sich herausgestellt, dassdiese zusätzlicheAbschirmung den aufgezeichneten rückseitigen Gasdruck selbstfür dünne Waferwirksam stabilisiert. Der zuvor erwähnte Überhang des Wafers 1 istimmer noch vorhanden, und dies bedeutet, dass der Durchmesser desWaferortes immer noch größer istals der Durchmesser der Spannvorrichtung, was ein hohes Risiko für ein Lösen desWafers birgt.
    [0033] 5 zeigtdas Ergebnis fürein Dunkelraumschild mit einem Innendurchmesser (Abstand A) von98 mm und einem 100 mm Wafer. Es wurde eine zusätzliche Verzögerung zwischendem elektrostatischen Haltern des Wafers und dem Einschalten des Targets(Plasma und thermische Last) eingeführt, um die Identifikationder Wirksamkeit der Abschirmung zu unterstützen. Es ist unmittelbar ersichtlich,dass nach dem Einschalten des Targets keine Änderung der Gasleckage auftritt.Die etwas höhereGasleckage, die währenddieses Durchlaufs überdie Dauer dieses Experimentes verglichen mit 2 auftritt, ist eine erwartete Variationder Leistungsfähigkeitder Halterung, die sich von einem Wafer zum anderen ergibt. DieMenge der Gasleckage ist abhängigvon der Genauigkeit bzw. Qualitätdes Rückseitenfinishdes Substrates.
    [0034] Und zu demonstrieren, dass die Abschirmungwirksam verhindert, dass das Plasma die Kante des Wafers erreicht,wurde ein Schild ausprobiert, dessen Innendurchmesser etwas größer istals der Außendurchmesserdes Wafers, und es wurde die Leistungsfähigkeit der Halterung untersucht. 6 zeigt Daten von einemSchild bzw. eine Abschirmung mit einem Innendurchmesser von 102mm und einem 100 mm Wafer.
    [0035] Aus 6 istersichtlich, dass sich die Gasleckage während der Ablagerungssequenzsignifikant erhöht,wenn das Schild größer istals der Wafer. Es wird angenommen, dass sich dies aufgrund der Ladungsleckagevon dem Wafer ergibt, wenn dieser sich von der elektrostatischenSpannvorrichtung unter Einfluss der thermischen Spannung, die vondem Prozess eingebracht wird, abhebt. Wenn sich der Wafer anhebt,geht eine wirksame Kühlungverloren und an der Kante des Wafers, die nicht gehalten ist, beginntdie Temperatur anzusteigen, was zu einem weiteren Verbiegen bzw.Krümmendes Wafers führt. Jelängerdie Prozessdauer ist, desto größer istdieser Effekt, bis es zu einem vollständigen Versa gen der Halterungkommt. Die Abschirmung mit einem Durchmesser, der etwas größer istals der Wafer (6), stellteine zufrieden stellende Leistungsfähigkeit zur Verfügung, vorausgesetzt,dass die Plasmabearbeitungszeit nicht zu lang ist. Gegenüber keinervorhandenen Abschirmung, wie aus 3 ersichtlich,bei der nach 37 Sekunden eine vollständige Fehlfunktion der Halterungauftritt, ergibt sich eine deutliche Verbesserung.
    [0036] Es versteht sich, dass das Plasmain jeder geeigneten Weise gezündetwerden kann. Beispielsweise werden eine oder mehrere externe Spulenverwendet oder zusätzlichoder alternativ sind Elektroden innerhalb der Kammer vorgesehen,welche das Plasma erzeugen, in welchem Fall die Spannvorrichtungeine der Elektroden sein kann. Es versteht sich, dass das Dunkelraumschildeine Form haben kann, die bezüglichdes Querschnitts der Öffnungvon der Form des Substrates bestimmt ist. Die Oberseite des Schildesist geneigt dargestellt, es könnenjedoch auch andere Oberflächenverwendet werden. Das Schild kann relativ zur Spannvorrichtung bewegbar sein,um Anordnen und Entfernen des Wafers zu unterstützen, und es kann mit der Kammerverbunden oder in anderer Weise gehalten sein. Das Schild ist vorzugsweiseaus Metall hergestellt, es kann jedoch auch einen nicht leitendenKörper,beispielsweise aus Keramik, aufweisen.
    [0037] Der ausgeführte Prozess kann jeder sein, welcherdie Anwesenheit eines Plasmas benötigt, und umfasst Plasma unterstütztes chemischesAufdampfen (CVD), Sputtern sowie Ätzen, obwohl die Notwendigkeitfür den Überhangdes Wafers, welcher das Problem eines Ablösen des Wafers stark erhöht, hauptsächlich beiAblagerungsprozessen vorhanden ist.
    [0038] Zusammenfassend betrifft die Erfindungeine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substratesmit einer Dicke von 250 μmoder weniger. Bei der Vorrichtung und dem Verfahren wird in einer Prozesskammerein Dunkelraumschild zwischen dem Plasma und dem Umfang des Substratesangeordnet, um das Vorhandensein von Plasma zwischen dem Schildund dem Umfang des Substrates zu verhindern, während ein Bearbeiten des Substrates möglich bleibt.In jedem Fall wird eine elektrostatische Spannvorrichtung verwendet.
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats (1)mit einer Dicke von kleiner oder gleich 250 μm mit einer Kammer, einem Plasmaerzeugungselement oderElementen, um in einer Zone der Kammer ein Plasma (6) zuerzeugen, und einer elektrostatischen Spannvorrichtung (2)zum Halten eines Substrats (1) an einem Substratort inoder benachbart zu der Zone, dadurch gekennzeichnet, dassdie Vorrichtung ferner ein Dunkelraumschild (7) umfasst,welches auf der der Zone zugewandten Seite der Spannvorrichtung(2) den Umfang des Substratortes umgebend oder den Umfangdes Substratortes überdeckendangeordnet ist, um im Wesentlichen das Vorhandensein von Plasma(6) zwischen dem Schild (7) und dem Umfang desSubstrates (1) zu verhindern, während eine Bearbeitung desSubstrates (1) möglichbleibt.
    [2] Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Schild (7) im Wesentlichen ringförmig ausgebildetist.
    [3] Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,dass das Schild (7) elektrisch leitend ausgebildet ist.
    [4] Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,dass das Schild (7) geerdet ist.
    [5] Vorrichtung nach wenigstens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass die Spannvorrichtung (2) ebenfallsein Plasma erzeugendes Element ist.
    [6] Vorrichtung nach wenigstens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass die Spannvorrichtung (2) mitEnergie versorgt ist.
    [7] Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats mit einerDicke von 250 μmoder weniger mit den Schritten elektrostatisches Halten des Substratsan einer Spannvorrichtung, Erzeugen eines Plasmas benachbart zurauswärtsgewandten Seite des gehaltenen Substrates und Anordnen eines Dunkelraumschildes zwischendem Plasma und dem Umfang des Substrates, um das Vorhandensein vonPlasma zwischen dem Schild und dem Umfang zu verhindern, während eineBearbeitung des Substrats möglichbleibt.
    [8] Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,dass die Dicke des Substrates gleich oder kleiner 100 μm ist.
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    法律状态:
    2005-05-12| 8128| New person/name/address of the agent|Representative=s name: ZEITLER, VOLPERT, KANDLBINDER, 80539 MüNCHEN |
    2011-04-07| 8110| Request for examination paragraph 44|
    2018-03-16| R016| Response to examination communication|
    2019-01-09| R002| Refusal decision in examination/registration proceedings|
    2019-02-16| R003| Refusal decision now final|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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